OPB860N51
出力構成 | Phototransistor |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 30 mA |
電流 - DC順方向(If)(最大) | 50 mA |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 30 V |
検出方法 | Through-Beam |
検出距離 | 0.125" (3.18mm) |
運転温度 | -40°C ~ 85°C |
パッケージ/ケース | Module, Pre-Wired |
装着タイプ | Chassis Mount |
反応時間 | - |
製品ステータス | Active |
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