GP1S196HCZSF
输出配置 | Phototransistor |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 20 mA |
电流 - 直流正向(If)(最大) | 30 mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 35 V |
检测方法 | Through-Beam |
感应距离 | 0.043" (1.1mm) |
工作温度 | -25°C ~ 85°C |
封装/箱体 | 4-SMD |
安装类型 | Surface Mount, Gull Wing |
响应时间 | 50µs, 50µs |
产品状态 | Obsolete |
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