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H11A617B

  • 制造商: onsemi
  • 封装: 4-DIP
  • 描述: OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
  • RoHs状态:
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产品特性
通道数 1
输出类型 Transistor
输入类型 DC
电流传输比(最小值) 63% @ 10mA
电流传输比(最大) 125% @ 10mA
电流 - 输出/通道 50mA
电流 - 直流正向(If)(最大) 50 mA
电压 - 隔离 5300Vrms
电压 - 输出(最大) 70V
电压 - 正向(Vf)(典型值) 1.35V
打开/关闭时间(典型值) -
工作温度 -55°C ~ 100°C
封装/箱体 4-DIP (0.300", 7.62mm)
安装类型 Through Hole
供应商设备封装 4-DIP
产品状态 Obsolete
上升/下降时间(典型值) 2.4µs, 2.4µs
Vce饱和(最大) 400mV

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