NCD57090EDWR2G
- 制造商： AMI Semiconductor/onsemi
- 封装： 8-SOIC
- 描述： ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
- RoHs状态：
产品特性
| 通道数 | 1 |
| 脉冲宽度失真（Max） | 25ns |
| 电流 - 输出高，低 | 6.5A, 6.5A |
| 电流 - 直流正向（If）（最大） | - |
| 电流 - 峰值输出 | 6.5A |
| 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 电压 - 输出电源 | 0V ~ 32V |
| 电压 - 正向（Vf）（典型值） | - |
| 技术 | Capacitive Coupling |
| 批准机构 | VDE |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 封装/箱体 | 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 共模瞬态抗扰度（Min） | 100kV/µs (Max) |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 传播延迟tpLH / tpHL（最大） | 90ns, 90ns |
| 产品状态 | Active |
| 上升/下降时间（典型值） | 13ns, 13ns |
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