NCD57201DR2G
通道数 | 1 |
脉冲宽度失真(Max) | 25ns |
电流 - 输出高,低 | 1.9A, 2.3A |
电流 - 直流正向(If)(最大) | - |
电流 - 峰值输出 | 1.9A, 2.3A |
电压 - 隔离 | 1000Vrms |
电压 - 输出电源 | 0V ~ 20V |
电压 - 正向(Vf)(典型值) | - |
技术 | Capacitive Coupling |
批准机构 | VDE |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
封装/箱体 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
安装类型 | Surface Mount |
共模瞬态抗扰度(Min) | 100kV/µs |
供应商设备封装 | 8-SOIC |
传播延迟tpLH / tpHL(最大) | 110ns, 110ns |
产品状态 | Active |
上升/下降时间(典型值) | 13ns, 8ns |
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