OPB810W51
输出配置 | Phototransistor |
电流 - 集电极(Ic)(最大) | 30 mA |
电流 - 直流正向(If)(最大) | 50 mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30 V |
检测方法 | Through-Beam |
感应距离 | 0.375" (9.53mm) |
工作温度 | -40°C ~ 80°C |
封装/箱体 | Module, Pre-Wired |
安装类型 | Chassis Mount |
响应时间 | - |
产品状态 | Obsolete |
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